IKP15N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKP15N60T |
| 参数属性 | IKP15N60T 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 30A 130W TO220-3 |
| 功能描述 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
402.83 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 23:01:00 |
| 人工找货 | IKP15N60T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKP15N60T规格书详情
IKP15N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKP15N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Features:
• Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
• Maximum Junction Temperature 175°C
• Short circuit withstand time 5s
• Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
• TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
• Positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
产品属性
更多- 产品编号：
IKP15N60TXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，15A
- 开关能量：
570µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/188ns
- 测试条件：
400V，15A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
- 描述：
IGBT 600V 30A 130W TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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Infineon(英飞凌) |
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TO-220 |
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INFINEON |
24+ |
TO-220 |
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