IKP06N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IKP06N60T |
| 参数属性 | IKP06N60T 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 12A 88W TO220-3 |
| 功能描述 | IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO220-3 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
520.58 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-11 10:42:00 |
| 人工找货 | IKP06N60T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKP06N60T规格书详情
IKP06N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKP06N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IKP06N60TXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，6A
- 开关能量：
200µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/130ns
- 测试条件：
400V，6A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
- 描述：
IGBT 600V 12A 88W TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
17284 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO220-3 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
56800 |
特价现货,下单送华为手机.香港 日本 新加坡 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
Infineon 原 |
24+ |
T0-220 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
1820 |
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询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 |
