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IKP03N120H2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKP03N120H2
厂商型号

IKP03N120H2

参数属性

IKP03N120H2 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

功能描述

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

封装外壳

TO-220-3

文件大小

431.57 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-1 20:07:00

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IKP03N120H2规格书详情

IKP03N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKP03N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

• Designed for:

- SMPS

- Lamp Ballast

- ZVS-Converter

• 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers:

- loss reduction in resonant circuits

- temperature stable behavior

- parallel switching capability

- tight parameter distribution

- Eoff optimized for IC =3A

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IKP03N120H2XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    290µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    9.2ns/281ns

  • 测试条件:

    800V,3A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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