IKN01N60RC2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IKN01N60RC2
参数属性	IKN01N60RC2 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
功能描述	600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
丝印标识	K1DRC2
封装外壳	PG-SOT223-3 / TO-261-4，TO-261AA
文件大小	1.39455 Mbytes
页面数量	17 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-22 22:59:00
人工找货	IKN01N60RC2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IKN01N60RC2规格书详情

IKN01N60RC2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKN01N60RC2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Features

• VCE = 600 V

• IC = 1 A

• Very tight parameter distribution

• Operating range of 1 to 20 kHz

• Maximum junction temperature 150°C

• Short circuit capability of 3 μs

• Humidity robust design

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/rc-d2

产品属性

产品编号：
IKN01N60RC2ATMA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，1A
开关能量：
25.1µJ（开），13.5µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
5.6ns/80ns
测试条件：
400V，1A，49 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
PG-SOT223-3
描述：
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

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