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IKP06N60T	文件：519.94 Kbytes Page：13 Pages	丝印：K06T60；Package：PG-TO220-3；IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and induction cooking - Uninterrupted Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V 文件：519.94 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60T	文件：359.8 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：359.8 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60T	文件：403.65 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：403.65 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60T	文件：520.58 Kbytes Page：13 Pages	丝印：K06T60；Package：PG-TO220-3；IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：520.58 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60TXKSA1	文件：519.94 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and induction cooking - Uninterrupted Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V 文件：519.94 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60T_07	文件：403.65 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：403.65 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60T_14	文件：520.58 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：520.58 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、6 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO220 封装 The 600 V, 6 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recover • Lowest VCEsatdrop for lower conduction losses\n• Low switching losses\n• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode\n• High ruggedness, temperature stable behavior\n• Low EMI emissions\n• L;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP06N60TXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 88W TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
6 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.09 mJ
Eoff Hard Switching：
0.11 mJ
IF max：
12 A
Qrr：
190 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO220-3
td(on)：
9 ns
tr：
6 ns
td(off)：
130 ns
tf：
58 ns
QGate：
42 nC
IC @ 25° max：
12 A
IFpuls max：
18 A
VF：
1.6 V
Irrm：
5.3 A
ICpuls max：
18 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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