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IKP15N60T	文件：402.83 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP™andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5s •Designedfor: -FrequencyConverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP15N60T	文件：516.549 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP15N60T	文件：460.48 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP15N60T_07	文件：460.48 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKP15N60TXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A 130W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IKP15N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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