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IKP20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power S 文件：435.11 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：454.76 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：746.77 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60T	文件：505.48 Kbytes Page：13 Pages	丝印：K20T60；Package：PG-TO220-3；IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：505.48 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60T_08	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：454.76 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60T_15	文件：505.48 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：505.48 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60TA	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：746.77 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60TA	文件：2.62618 Mbytes Page：16 Pages	600V low loss switching series third generation 文件：2.62618 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60TA_15	文件：2.62618 Mbytes Page：16 Pages	600V low loss switching series third generation 文件：2.62618 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT The 600 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recove • Lowest VCEsatdrop for lower conduction losses\n• Low switching losses\n• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode\n• High ruggedness, temperature stable behavior\n• Low EMI emissions\n• L;	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
28 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.31 mJ
Eoff Hard Switching：
0.46 mJ
IF max：
41 A
Qrr：
310 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO220-3
td(on)：
18 ns
tr：
14 ns
td(off)：
199 ns
tf：
42 ns
QGate：
120 nC
IC @ 25° max：
41 A
IFpuls max：
60 A
VF：
1.65 V
Irrm：
13.3 A
ICpuls max：
60 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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