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IKP20N60T	文件：505.48 Kbytes Page：13 Pages	丝印：K20T60；Package：PG-TO220-3；IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：505.48 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
K20T60	文件：505.48 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：505.48 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
K20T60
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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