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IKP20N60TA	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：746.77 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKP20N60TA	文件：2.62618 Mbytes Page：16 Pages	600V low loss switching series third generation 文件：2.62618 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IKP20N60TAHKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
IKP20N60TA
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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