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IKW25T120	文件：450.8 Kbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOP SERIES LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP314D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW25T120	文件：374.05 Kbytes Page：16 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW25T120_08	文件：374.05 Kbytes Page：16 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW25T120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 190W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FGH25T120SMD	文件：308.64 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G25T120	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW25T120	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW25T120	文件：412.87 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
K25T120	文件：450.8 Kbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPSERIES LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP314D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
MBQ25T120FESC	文件：1.46779 Mbytes Page：10 Pages	HighspeedFieldstopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MBQ25T120FESCTH	文件：1.46779 Mbytes Page：10 Pages	HighspeedFieldstopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
NLV25T120J	文件：2.13937 Mbytes Page：14 Pages	InductorsforStandardCircuitsWoundFerrite OverviewoftheNLVSeries FEATURES •Resinmoldtypewoundinductorforstandardcircuits. •0.01to470μH,E-12Series,widelineupcompatiblewithJ(±5)tolerance,canbeusedforapplicationsthatneedtomeetstrictLtolerancesuchasfiltercircuits. •Hasexcellentinductancetemperat	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司
SIGC25T120C	文件：66.09 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SIGC25T120CL	文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SIGC25T120CS	文件：66.16 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IKW25T120
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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