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IKW25N120H3	文件：2.14854 Mbytes Page：16 Pages	1200V high speed switching series third generation HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDEC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW25N120H3	文件：850.59 Kbytes Page：8 Pages	Trench and Field-Stop IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.05V@IC=25A ·Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·AirConditioning ·weldingconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IKW25N120H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 326W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW25N120H3	文件：907.61 Kbytes Page：16 Pages	HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnologyrecommendedincombinationwithSiCDiodeIDH15S120 Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •bestinclassswitchingperformance:lessthan500µJtotalswitchinglossesachievable •verylowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperatur	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW25N120H3	文件：2.31905 Mbytes Page：16 Pages	IGW25N120H3 Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •bestinclassswitchingperformance:lessthan500µJtotal switchinglossesachievable •verylowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IKW25N120H3
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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