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IKW15N120H3	文件：833.85 Kbytes Page：14 Pages	High speed Duopack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW15N120H3	文件：2.13291 Mbytes Page：16 Pages	1200V high speed switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW15N120H3_14	文件：2.13291 Mbytes Page：16 Pages	1200V high speed switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW15N120H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW15N120H3	文件：754.29 Kbytes Page：12 Pages	HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,R	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW15N120H3	文件：2.01354 Mbytes Page：14 Pages	1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IKW15N120H3
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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