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Infineon(英飞凌)TO-220-3

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Infineon(英飞凌)TO-220-3

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Infineon(英飞凌)TO-220

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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IKP08N65F5

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深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

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只做原装现货

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IKP08N65F5

Infineon(英飞凌)PG-TO220-3

315000

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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深圳市盈慧通电子有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-220-3

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深圳市顺科成电子有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-220-3

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原装，可BOM表配单

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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原装正品，可来电咨询

上海华整贸易有限公司

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Infineon/英飞凌标准封装

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授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存

深圳市清腾科技有限公司

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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全新原装现货

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Infineon Technologies原装

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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买原装认准中赛美

深圳市力仕科电子科技有限公司

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Infineon/英飞凌PG-TO220-3

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原装正品

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INFINEON-英飞凌TO-220-3

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IKP08N65F5功能描述:IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IKP08N65F5XKSA1功能描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

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