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IKB20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB20N60T	文件：703.05 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKB20N60TA	文件：2.48742 Mbytes Page：16 Pages	600V low loss switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IKB20N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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