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FDS6672A	文件：87.8 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6672A	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6672A_01	文件：87.8 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AD6672	文件：1.49703 Mbytes Page：32 Pages	IFReceiver GENERALDESCRIPTION TheAD6672isan11-bitintermediatereceiverwithsamplingspeedsofupto250MSPS.TheAD6672isdesignedtosupportcommunicationsapplications,wherelowcost,smallsize,widebandwidth,andversatilityaredesired. FEATURES 11-bit,250MSPSoutputdatarate	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BX6672	文件：76.16 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
EW-6672	文件：131.92 Kbytes Page：3 Pages	EW-6672iscomposedofaUltra-highsensitiveInSbHallelementandasignalprocessingICchipinapackage	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
EW-6672	文件：113.12 Kbytes Page：2 Pages	EW-6672	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
FDD6672A	文件：80.66 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6672A	文件：425.69 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •65	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6672A	文件：331.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=65A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS6672	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FP6672	文件：76.16 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
LMH6672	文件：1.5677 Mbytes Page：29 Pages	LMH6672Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6672	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6672LD	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6672LDX	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6672MA	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6672MA/NOPB	文件：1.5677 Mbytes Page：29 Pages	LMH6672Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6672MAX	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
FDS6672A
功能描述：
MOSFET SO-8 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS6672A供应商更新时间2024-5-2 10:48:00

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