20 V、9.4 A、10 mΩ、SO-8，逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 •9.4 A、20 V、RDS(ON) = 14 mΩ（VGS = 4.5 V）\n•低栅极电荷（16nC，典型值）\n•静电放电(ESD)保护二极管（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

文件：332.48 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

SOP8

ON/安森美

上传：深圳市创盛芯科技有限公司

SOP-8

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司

SOP

FAI

上传：深圳市勤思达科技有限公司