N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，18A，4.5mΩ

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 10V，ID = 18A时，最大rDS(on) = 4.5mΩ\n•VGS = 8 V，ID = 16.5 A时，最大rDS(on) = 5.4mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 18 A, 4.5 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

CMOS 8-bit Single Chip Microcomputer

Description The CXP86540/86548/86560 are the CMOS 8-bit microcomputer integrating on a single chip an A/D converter, serial interface, timer/counter, time-base timer, on-screen display function, I2C bus interface, PWM output, remote control reception circuit, HSYNC counter, watchdog timer, 32kH

文件：354.63 Kbytes 页数：24 Pages

SONYSony Corporation

索尼

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 50 A, 4.1 m廓

文件：247.22 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 50 A, 3.4 m廓

文件：274.56 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体