N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 14A, 7.6mOhm

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed. Features ■ Max rDS(

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，14A，7.6mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •VGS = 10V，ID = 14A时，最大rDS(on) = 7.6 mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 11.5A时，最大rDS(on) = 11.4mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关\n•极低的栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•100%经过RG测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Heyco® Nylon Conduit Fittings - 90° Sweep Fittings

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