丝印：FDS6675；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET

Features (VGS = -10V) VDS (V) =-30V ID = -11 A R DS(ON)

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UMW

友台半导体

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

文件：247.45 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

文件：515.87 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，14mΩ

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合笔记本电脑应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。 •-11 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.014 W @ VGS = -10 V，RDS(ON) = 0.020 W @ VGS = -4.5 V。\n•低栅极电荷（典型值30 nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。\n•高功率和高电流处理能力。;

ONSEMI

安森美半导体

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -14A RDS(ON)

文件：1.9309 Mbytes 页数：5 Pages

BYCHIP

百域芯

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

文件：515.87 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

30V P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：107.86 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：457.63 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13mOhm

文件：360.25 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：457.63 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体