FDS6675数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDS6675规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合笔记本电脑应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
特性 Features
•-11 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.014 W @ VGS = -10 V，RDS(ON) = 0.020 W @ VGS = -4.5 V。
•低栅极电荷（典型值30 nC）。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
•高功率和高电流处理能力。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6675
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-11
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：25
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：30
- Ciss Typ (pF)
：3000
- Package Type
：SOIC-8
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