首页>FDS6673BZ_F085>规格书详情
FDS6673BZ_F085中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-14.5A，7.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6673BZ_F085规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•最大 rDS(on) = 7.8 mΩ、VGS = -10 V、ID = -14.5 A
•Max rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A
•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM静电放电保护等级，典型值为6.5KV（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDS6673BZ_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-14.5
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：25
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：88
- Ciss Typ (pF)
：3500
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
08+ |
SOP8 |
3300 |
全新原装现货绝对自己公司特价库 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOP8 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
SOP-8 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP-8 |
23635 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
SOP8 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP8 |
9526 |
询价 |
