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FDS6673BZ_F085规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•最大 rDS(on) = 7.8 mΩ、VGS = -10 V、ID = -14.5 A
•Max rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A
•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM静电放电保护等级，典型值为6.5KV（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDS6673BZ_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-14.5
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：25
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：88
- Ciss Typ (pF)
：3500
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
SOP-8 |
36214 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOP-8 |
22000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
SOP-8 |
35500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
09+ |
SOP8 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
SOP8 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOP8 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
Fairchild |
24+ |
SOP8 |
1000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP8 |
9526 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
SOP8 |
1350 |
询价 |
