FDS6673BZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，14.5A，7.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6673BZ规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•最大rDS(on) = 7.8mΩ，VGS = -10V，ID = -14.5A
•最大rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A
•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM ESD保护等级，典型值为6.5KV（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6673BZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-14.5
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：30
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：46
- Ciss Typ (pF)
：3500
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOP8 |
20000 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOP8 |
79999 |
优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2404+ |
SOP-8 |
3300 |
现货正品原装,假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOP-8 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOP8 |
12000 |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
SOIC-8 |
55740 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOP8 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP |
23634 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
