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深圳市环球伟业电子有限公司

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深圳市恒达亿科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市赛能新源半导体有限公司

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原装正品进口现货

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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深圳市华博特电子有限公司

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深圳市赛特兴科技有限公司

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深圳市华康联电子科技有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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原厂授权代理 价格绝对优势

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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深圳市百域芯科技有限公司

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BychipSOP8

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高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市慧业盛科技有限公司

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迈思希姆半导体(江苏)有限公司

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深圳市特瑞斯科技有限公司

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深圳市永贝尔科技有限公司

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ON(安森美)N/A

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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FDS6673BZ功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDS6673BZ_F085功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDS6673BZ_G制造商:Fairchild 功能描述:-30V P-Channel PowerTrench? MOSFET