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FDS6670AS中文资料N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,13.5A,9.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS6670AS

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,13.5A,9.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 12:01:00

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FDS6670AS规格书详情

描述 Description

FDS6670AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供一个低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6670AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

特性 Features

•13.5A,30V RDS(on) = 9.0 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 11.5mΩ @ VGS = 4.5V
•包含SyncFET肖特基体二极管
•低栅极电荷(27nC典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Low Side Notebook

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6670AS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :13.5

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :11.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :1540

  • Package Type

    :SOIC-8

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