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FDS5680中文资料N 沟道 PowerTrench MOSFET,60V,8A,20mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS5680

功能描述

N 沟道 PowerTrench MOSFET,60V,8A,20mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-6 22:59:00

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FDS5680规格书详情

描述 Description

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性 Features

•8 A,60 V
•低栅极电荷(30nC,典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Load Switch
• Motor Drives

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS5680

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :8

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :1850

  • Package Type

    :SOIC-8

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