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FDS4897C数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS4897C

功能描述

双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDS4897C规格书详情

描述 Description

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

• Q1: N沟道6.2A,40V
• RDS(ON) = 29 mΩ @ VGS = 10V
• 采用广泛使用的表面贴装封装,具有高功率和高电流处理能力
• 符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Inverter
• Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS4897C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :±3

  • ID Max (A)

    :N: 6.2

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N:36.0

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :N:29.0

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6

  • Ciss Typ (pF)

    :N: 760

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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