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FDS4465中文资料P 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-13.5A,8.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS4465

功能描述

P 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-13.5A,8.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 17:06:00

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FDS4465规格书详情

描述 Description

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(1.8V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。

特性 Features

•-13.5 A,-20 V。
•RDS(on) = 8.5mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(on) = 10.5mΩ @ VGS = -2.5V
•RDS(on) = 14mΩ @ VGS = -1.8V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高电流和功率处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS4465

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-13.5

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :10.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :86

  • Ciss Typ (pF)

    :8237

  • Package Type

    :SOIC-8

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