FDS4465中文资料P 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,-20V,-13.5A,8.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS4465规格书详情
描述 Description
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(1.8V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。
特性 Features
•-13.5 A,-20 V。
•RDS(on) = 8.5mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(on) = 10.5mΩ @ VGS = -2.5V
•RDS(on) = 14mΩ @ VGS = -1.8V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高电流和功率处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
:FDS4465
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-20
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:-1.5
- ID Max (A)
:-13.5
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:10.5
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:8.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:86
- Ciss Typ (pF)
:8237
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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