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FDS4435BZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS4435BZ

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-8.8A,20mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:20:00

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FDS4435BZ规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻而定制的。
• 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性 Features

•最大rDS(on) = 20mΩ(VGS = –10V且ID = –8.8A时)
•最大rDS(on) = 35mΩ(VGS = –4.5V且ID = –6.7A时)
•扩展了VGSS范围(-25V),适合电池应用
•HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值(注3)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
•终端是符合RoHS标准的无铅产品

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS4435BZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-8.8

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :86

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :1385

  • Package Type

    :SOIC-8

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