FDS4435BZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS4435BZ规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻而定制的。
• 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•最大rDS(on) = 20mΩ（VGS = –10V且ID = –8.8A时）
•最大rDS(on) = 35mΩ（VGS = –4.5V且ID = –6.7A时）
•扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
•终端是符合RoHS标准的无铅产品
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS4435BZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-8.8
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：86
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16
- Ciss Typ (pF)
：1385
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOSFET |
SO-8 |
65000 |
原装绝对有货 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SOP-8 |
24981 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOP-8_150mil |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOP8 |
57500 |
原装正品 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
原厂 |
23+ |
SOP8 |
60000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOP-8_150mil |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Fairchild |
24+ |
SOP |
9000 |
公司只做原装正品!现货库存!可随时看货! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2038+ |
SOP8 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
询价 |
