FDS3692中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，4.5A，60mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS3692规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 4.5 A, 60 mΩ
特性 Features
•rDS(ON) = 50mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 4.5A
•Qg(tot) = 11nC （典型值），VGS = 10V
•低米勒电荷
•低Qrr体二极管
•优化高频率时的效率
•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
•以前的开发类型为82745
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V Systems
• High Voltage Synchronous Rectifier
• Direct Injection / Diesel Injection Systems
• 42V Automotive Load Control
• Electric Valve Train Systems
技术参数
- 制造商编号
：FDS3692
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：4.5
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：60
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.4
- Ciss Typ (pF)
：746
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ON/安森美 |
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