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FDS3572中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,8.9A,16mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS3572

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,8.9A,16mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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FDS3572规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 8.9 A, 16 mΩ

特性 Features

•rDS(ON) = 14mΩ(典型值),VGS =10V,ID = 8.9A
•Qg(tot) = 31nC(典型值),VGS = 10V
•低米勒电荷
•低Qrr体二极管
•优化高频率时的效率
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)以前的开发类型82663

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Primary Switch in Isolated DC/DC Converters
• Distributed Power Architectures and Intermediate Bus Architectures
• High Voltage Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS3572

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :8.9

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :1990

  • Package Type

    :SOIC-8

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