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FDS2572数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS2572

功能描述

N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,150V,4.9A,47mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDS2572规格书详情

描述 Description

UltraFET®器件结合了各种特性,可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化,这些器件是高频 DC-DC 转换器的理想选择。

特性 Features

•RDS(ON) = 0.040 Ω(典型值),V = 10 V
•Qg(tot) = 29nC(典型值),VGS = 10V
•低 QRR体二极管
•已将高频情况下的效率最大化
•UIS 额定值

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Telecom and Data-Com Distributed Power Architectures
• 48-volt I/P Half-bridge/Full-Bridge
• 24-volt Forward and Push-Pull Topologies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS2572

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :4.9

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :47

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :2050

  • Package Type

    :SOIC-8

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