FDS2672中文资料N 沟道，UltraFET Trench® MOSFET，200V，3.9A，70mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS2672规格书详情
描述 Description
此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 3.9A时，最大rDS(on) = 70mΩ
•VGS = 6V，ID = 3.5A时，最大rDS(on) = 80 mΩ
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDS2672
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：3.9
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：70
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：33
- Ciss Typ (pF)
：1905
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOP-8 |
30000 |
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SOP-8 |
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