丝印：FDS2672；N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 200V, 3.9A, 70mΩ

Features Max rDS(on) = 70mΩ at VGS = 10V, ID = 3.9A Max rDS(on) = 80mΩ at VGS = 6V, ID = 3.5A Fast switching speed High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS compliant General Description This single N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s

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安森美半导体

N-Channel MOSFET

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N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET 200V, 3.9A, 70m?

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仙童半导体

N 沟道，UltraFET Trench® MOSFET，200V，3.9A，70mΩ

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 3.9A时，最大rDS(on) = 70mΩ\n•VGS = 6V，ID = 3.5A时，最大rDS(on) = 80 mΩ\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•符合RoHS标准;

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N-Channel UltraFET Trench짰 MOSFET

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N-Channel UltraFET Trench MOSFET

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仙童半导体

N 沟道，UltraFET® 沟槽，200V，3.9A，70mΩ

此单 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 UItraFET Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •最大 rDS(on) = 70 mΩ（VGS = 10 V、ID = 3.9 A）\n•最大 rDS(on) = 80 mΩ（VGS = 6 V、ID = 3.5 A）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

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