FDS3590中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,6.5A,39mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS3590规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动,并且驱动安全性更高(即使在非常高的频率),而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
特性 Features
•6.5 A, 80 V
•RDS(on) = 39 mΩ(VGS = 10 V 时)
•RDS(on) = 44 mΩ(VGS = 6 V)
•低栅极电荷
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDS3590
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:6.5
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:39
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:25
- Ciss Typ (pF)
:1180
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
SOP |
9526 |
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25000 |
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ON/安森美 |
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