首页>FDS4435BZ_F085>规格书详情
FDS4435BZ_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDS4435BZ_F085规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•最大 rDS(on)= 20 mΩ （VGS = -10 V、ID= -8.8 A）
•VGS = -4.5V且ID = -6.7A时，最大rDS(on) = 35mΩ
•扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
•HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
•符合 AEC Q101
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDS4435BZ_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-8.8
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：28
- Ciss Typ (pF)
：1385
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
24+ |
SOP-8 |
37750 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP-8 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOP-8 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
原厂封装 |
1975 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP-8 |
24217 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
SOP-8 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
F |
23+ |
SOP-8 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
