P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-8.8A，20mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。 •最大 rDS(on)= 20 mΩ （VGS = -10 V、ID= -8.8 A）\n•VGS = -4.5V且ID = -6.7A时，最大rDS(on) = 35mΩ \n•扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用\n•HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品\n•符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDS4435BZ；Package：SO-8；P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30V, -8.8A, 20m

文件：416.89 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ON
SOP-8

ON

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FSC
SOP8

FSC

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Fairchild
SOP-8

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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