丝印：FDS4465；P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET

General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V). Applications • Power management • Load swi

文件：375.34 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V). Features • –13.5 A, –20 V. RDS(ON) = 8.5

文件：137.55 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench??MOSFET

文件：371.17 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：FDS4465；Package：SO-8；P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件：499.71 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-13.5A，8.5mΩ

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(1.8V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。 •-13.5 A，-20 V。\n•RDS(on) = 8.5mΩ @ VGS = -4.5V\n•RDS(on) = 10.5mΩ @ VGS = -2.5V\n•RDS(on) = 14mΩ @ VGS = -1.8V\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高电流和功率处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：995 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-13.5A，8.5 mΩ

此 P 沟道 1.8 V 额定 MOSFET 是采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产的耐用栅极版本。它已针对栅极驱动电压范围(1.8V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。 •–13.5 A、–20 V、RDS(ON = 8.5 mΩ (VGS = –4.5 V)\n•RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = –2.5 V\n•RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = –1.8 V\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高电流和功率处理能力\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO

ONSEMI

安森美半导体