Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features •

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • Q1： N沟道6.2A，40V\n• RDS(ON) = 29 mΩ @ VGS = 10V\n• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

1.1 Watt Audio Power Amplifier with Fade-In and Fade-Out

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NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

1.1 Watt Audio Power Amplifier with Fade-In and Fade-Out

文件：612.61 Kbytes 页数：14 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件：143.84 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体