FDS4935BZ中文资料双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-6.9A，22mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性 Features

•–6.9 A，–30 V
•RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = –10 V
•RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5 V
•扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
•静电放电(ESD)保护二极管（注3）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.