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FDS4935BZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS4935BZ

功能描述

双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,- 30V,-6.9A,22mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDS4935BZ规格书详情

描述 Description

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动,并且驱动安全性更高(即使在非常高的频率),而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性 Features

•–6.9 A,–30 V
•RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = –10 V
•RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5 V
•扩展了VGSS范围(-25V),适合电池应用
•静电放电(ESD)保护二极管(注3)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS4935BZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-6.9

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=35

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=22

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :1360

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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