丝印：FDS5680；60V N-Channel PowerTrench™ MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery p

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ONSEMI

安森美半导体

60V N-Channel PowerTrench??MOSFET

60V N-Channel PowerTrench™ MOSFET

文件：261.75 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench MOSFET，60V，8A，20mΩ

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 •8 A，60 V\n•低栅极电荷（30nC，典型值）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features ® Vos =60VIo 8A Roson

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TECHPUBLIC

台舟电子