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FDS8896	文件：260.529 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：260.529 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS8896	文件：622.1 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：622.1 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS8896	文件：644.48 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：644.48 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS8896	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，15A，6.0mΩ 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 6.0 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 15A\n•RDS(ON) = 7.3 mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 14A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•低栅极电荷 \n•高功率和高电流处理能力\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS8896_07	文件：622.1 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：622.1 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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