丝印：FDS8978；Package：SOP-8；30V Dual N-Channel MOSFET

Features High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handling Capability VDS (V) = 30V ID = 7.5A (VGS = 10V) RDS(ON)

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UMW

友台半导体

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，7.5A，18mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 18 mΩ，VGS = 10V，ID = 7.5A\n•RDS(ON) = 21 mΩ，VGS = 4.5V，ID = 6.9A\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•100%经过RG测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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