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FDS8984_F085

30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 •最大 rDS(ON) = 23 mΩ、VGS = 10 V、ID = 7 A\n•VGS = 4.5V,ID = 6A时,最大rDS(on) = 30mΩ\n•低栅极电荷\n•100%经过RG测试\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDS8984-F085

丝印:FDS8984;Package:SO-8;N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 7A, 23m廓

文件:485.04 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDS9435A

FAIRCHIL
SOP8

FAIRCHIL

FDS9435A

FSC
SOP8

FSC

FDSD0420-H-100M=P3

Murata
1515

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    7

  • PD Max (W):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1=Q2=23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    9.2

  • Ciss Typ (pF):

    475

  • Package Type:

    SOIC-8

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FairchildSemiconductor
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更多FDS8984_F085供应商 更新时间2025-10-4 14:15:00