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FDS8984_F085中文资料30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8984_F085

功能描述

30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 20:00:00

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FDS8984_F085规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•最大 rDS(ON) = 23 mΩ、VGS = 10 V、ID = 7 A
•VGS = 4.5V,ID = 6A时,最大rDS(on) = 30mΩ
•低栅极电荷
•100%经过RG测试
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8984_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9.2

  • Ciss Typ (pF)

    :475

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
50000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
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