FDS8960C中文资料双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V数据手册ONSEMI规格书
FDS8960C规格书详情
描述 Description
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
特性 Features
Q1： N沟道、7.0 A、35V
RDS(ON) = 0.032 mΩ @ VGS = 4.5 VQ2： P沟道-5A，-35V
快速开关速度
符合RoHS标准
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS8960C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET 35V
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±35
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：±3
- ID Max (A)
：N: 7.0. P: -5.0
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N:32.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：N:24.0
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.7
- Ciss Typ (pF)
：540
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOP-8 |
5000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
25+ |
SOP8 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOP8 |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
SOP-8N |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
DIP-4 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOP-8 |
505037 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
17048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOP8 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 |
