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FDS8842NZ中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,14.9A,7.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8842NZ

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,14.9A,7.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:09:00

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FDS8842NZ规格书详情

描述 Description

FDS8842NZ设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。

特性 Features

•VGS = 10 V,ID = 14.9 A时,最大rDS(on) = 7.0 mΩ
•VGS = 4.5 V,ID = 11.6 A时,最大rDS(on) = 11.6 mΩ
•HBM静电放电保护等级 = 4.4 kV典型值 (注3)
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
•终端是符合RoHS标准的无铅产品

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Buck for Notebook Vcore and Server
• Notebook Battery Pack
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8842NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :14.9

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :11.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :45

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27

  • Ciss Typ (pF)

    :2890

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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