FDS86252中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，4.5A，55mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS86252规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
特性 Features
•VGS = 10 V且ID = 4.5A时，最大rDS(on) = 55 mΩ
•VGS = 6 V且ID = 3.7A时，最大rDS(on) = 80 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 消费型设备
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDS86252
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：4.5
- PD Max (W)
：5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：55
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.2
- Ciss Typ (pF)
：718
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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