FDS86240中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,7.5A,19.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS86240规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•最大rDS(on) = 19.8 mO (VGS = 10 V, ID = 7.5 A)
•VGS = 6 V,ID = 6.4 A时,最大rDS(on) = 26 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 24V and 48V Systems
• High Voltage Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
:FDS86240
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:150
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:7.5
- PD Max (W)
:5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:19.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:16
- Ciss Typ (pF)
:1930
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Onsemi/安森美 |
24+ |
BGA |
8000 |
新到现货,只做全新原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOP-8 |
360000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SO-8 |
30000 |
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ON |
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SOP-8 |
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ON |
24+ |
SOP-8 |
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SOP-8 |
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ON/安森美 |
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SMD |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FSC |
19+ |
SOP8 |
9 |
原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
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