FDS86267P中文资料P 沟道，屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.2A，255mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS86267P规格书详情
描述 Description
本 P 沟道 MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺针对通态电阻优化，可保持卓越开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 255 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.2 A）
• 最大 rDS(on) = 290 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2 A）
• 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品已针对需要快速开关和负载开关的应用进行了优化
•100% 经过 UIL 测试
• 符合RoHS标准
应用 Application
• Active Clamp Switch
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDS86267P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-2.2
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：255
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7
- Ciss Typ (pF)
：806
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
ON(安森美) |
2511 |
SO-8 |
9850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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SO-8 |
30000 |
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询价 | ||
ON |
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SOP8 |
15000 |
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ON(安森美) |
25+ |
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1983 |
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询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOP8 |
15000 |
原装正品 |
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询价 | |||
ONSEMI |
23+ |
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880000 |
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ON(安森美) |
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SO-8 |
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