P 沟道，屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.2A，255mΩ

本 P 沟道 MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺针对通态电阻优化，可保持卓越开关性能。 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 255 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.2 A）\n• 最大 rDS(on) = 290 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2 A）\n• 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n• 本品已针对需要快速开关和负载开关的应用进行了优化\n•100% 经过 UIL 测试\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

SOP-8

Fairchild

仙童半导体

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SOP8

ON/安森美

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SOP-8

Fairchild

仙童半导体

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SOP8

FSC

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